[发明专利]半导体元件以及其制作方法有效
申请号: | 201710011195.3 | 申请日: | 2017-01-06 |
公开(公告)号: | CN108281424B | 公开(公告)日: | 2021-09-14 |
发明(设计)人: | 刘姿岑;冯立伟;何建廷 | 申请(专利权)人: | 联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司 |
主分类号: | H01L27/108 | 分类号: | H01L27/108;H01L21/8242 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 陈小雯 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 本发明公开一种半导体元件以及其制作方法,包括提供基板、多条字符线与多条位线,然后于各源极/漏极区上形成存储节点接触,使各存储节点接触的上表面于一方向上的宽度小于各存储节点接触的下表面于此方向上的宽度。 | ||
搜索关键词: | 半导体 元件 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
1.一种半导体元件,其特征在于,包括:基板,包括多个主动区,且各该主动区包括两个源极/漏极区,分别位于各该主动区的两端;多条字符线,设置于该基板中,且各该字符线沿着一第一方向延伸设置;多条位线,设置于该基板上,且各该位线沿着一第二方向延伸设置并横跨该多个字符线,其中各该源极/漏极区分别设置于由任两相邻的该多个字符线与任两相邻的该多个位线围绕出的一区域中;以及多个存储节点接触,分别设置于该多个源极/漏极区上,其中各该存储节点接触的上表面于该第二方向上的宽度小于各该存储节点接触的下表面于该第二方向上的宽度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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