[发明专利]存储器结构及其形成方法

摘要

本发明提供一种存储器结构及其形成方法，其中，存储器结构包括：第一传输晶体管，所述第一传输晶体管包括第一传输漏区和第一传输源区，第一传输源区和第一传输漏区中具有第一掺杂离子，所述第一传输漏区中的第一掺杂离子浓度与所述第一传输源区中的第一掺杂离子浓度不相同；第二传输晶体管，所述第二传输晶体管包括第二传输漏区和第二传输源区，所述第二传输源区和第二传输漏区中具有第二掺杂离子，所述第二传输漏区中的第二掺杂离子浓度与所述第二传输源区中的第二掺杂离子浓度不相同。所述存储器能够在提高存储器的读取噪声容量的同时，提高存储器的写入能力。

主权项

1.一种存储器结构，其特征在于，包括：衬底，所述衬底包括存储区、第一传输区、第二传输区；位于所述衬底存储区的存储结构，所述存储结构包括第一连接部、第二连接部；位于所述衬底第一传输区的第一传输晶体管，所述第一传输晶体管包括：位于所述第一传输区衬底上的第一传输栅极结构，分别位于所述第一传输栅极结构两侧衬底中的第一传输漏区和第一传输源区，所述第一传输源区与所述第一连接部电连接，所述第一传输源区和第一传输漏区中具有第一掺杂离子，所述第一传输漏区与所述第一传输源区中的第一掺杂离子浓度不相同；位于所述衬底第二传输区的第二传输晶体管，所述第二传输晶体管位于所述第二传输区衬底上的第二传输栅极结构，分别位于所述第二传输栅极结构两侧衬底中的第二传输漏区和第二传输源区，所述第二传输源区与所述第二连接部电连接，所述第二传输源区和第二传输漏区中具有第二掺杂离子，所述第二传输漏区与所述第二传输源区中的第二掺杂离子浓度不相同。