[发明专利]将衬底接合到半导体发光器件的方法有效
| 申请号： | 201710012849.4 | 申请日： | 2012-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN107086198B | 公开（公告）日： | 2020-09-11 |
| 发明（设计）人： | G.巴辛;J.E.伊普勒;P.S.马丁 | 申请（专利权）人： | 亮锐控股有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L33/00;H01L21/60 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 孙之刚;陈岚 |
| 地址： | 荷兰*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 根据本发明实施例的方法包括在半导体发光器件的晶片上方定位柔性膜（48），每个半导体发光器件包括半导体结构（13），所述半导体结构包括夹在n型区和p型区之间的发光层。经由柔性膜（48）将半导体发光器件的晶片接合到衬底（50）。在接合之后，柔性膜（48）与半导体结构（13）直接接触。该方法还包括将所述晶片接合到所述衬底（50）之后，划分所述晶片。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 接合 半导体 发光 器件 方法 | ||
【主权项】：
一种方法，包括：在半导体发光器件的晶片上方定位柔性膜，每个半导体发光器件包括半导体结构，所述半导体结构包括夹在n型区和p型区之间的发光层，其中，所述柔性膜是与所述晶片分开形成的，然后被定位于所述晶片上方；经由所述柔性膜将衬底接合到所述半导体发光器件的晶片，其中在接合之后，所述柔性膜与所述半导体结构直接接触；以及将所述晶片接合到所述衬底之后，划分所述晶片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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