[发明专利]一种聚吡咯包覆四氧化三钴纳米线的三维阵列电极及其制备方法和应用在审
| 申请号： | 201710013267.8 | 申请日： | 2017-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN108287190A | 公开（公告）日： | 2018-07-17 |
| 发明（设计）人： | 许鑫华;贾丽敏;王文静;张岩;王超 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | G01N27/48 | 分类号： | G01N27/48;G01N27/30 |
| 代理公司： | 天津创智天诚知识产权代理事务所(普通合伙) 12214 | 代理人： | 王秀奎 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种聚吡咯包覆Co3O4纳米线的三维阵列电极及其制备方法和应用，该聚吡咯包覆Co3O4纳米线的三维阵列电极以泡沫铜为基底，在基底上负载聚吡咯包覆Co3O4纳米线的三维阵列，Co3O4纳米线的长度为1～1.8μm，直径为100～130nm，聚吡咯包覆层的厚度为10～15nm，Co3O4纳米线具有多晶结构。本发明降低了实验成本，操作方法简便，得到的改性电极有优异的电化学性能，并且利用三维阵列结构的优势改善了Co3O4的导电性能，增加了电极材料的比表面积和活性位点，提高了Co3O4对于Pb2+的检测能力；引入含氮的聚吡咯进一步改善电极材料的导电性，含氮基团能够有效和Pb2+络合，有利于检测时Pb2+富集，进一步提升了传感器对Pb2+检测灵敏度的提高和检测限的降低，在铅离子监测等方面有广阔的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 聚吡咯 纳米线 三维阵列 包覆 电极 制备方法和应用 电极材料 基底 检测 导电性 电化学性能 检测灵敏度 四氧化三钴 导电性能 多晶结构 改性电极 含氮基团 活性位点 实验成本 包覆层 泡沫铜 铅离子 传感器 富集 络合 监测 引入 应用 | ||
【主权项】：
1.一种聚吡咯包覆Co3O4纳米线的三维阵列电极，其特征在于：以泡沫铜为基底，在基底上负载聚吡咯包覆Co3O4纳米线的三维阵列，Co3O4纳米线的长度为1～1.8μm，直径为100～130nm，聚吡咯包覆层的厚度为10～15nm，Co3O4纳米线具有多晶结构。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于天津大学，未经天津大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710013267.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
