[发明专利]具一存储器结构的半导体元件有效
| 申请号： | 201710014102.2 | 申请日： | 2017-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN108288671B | 公开（公告）日： | 2021-08-27 |
| 发明（设计）人： | 曾柏皓;李峰旻 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具一存储器结构的半导体元件，存储器结构包括一绝缘层设置于一基板上方；一底电极埋置于绝缘层中；一电阻转换层，设置于底电极上；和一顶电极，设置于电阻转换层上并覆盖电阻转换层。其中，底电极具有一凹陷上表面低于绝缘层的一平坦上表面。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 结构 半导体 元件 | ||
【主权项】：
1.一种具一存储器结构的半导体元件，该存储器结构包括：一绝缘层，设置于一基板上方；一底电极(bottom electrode)，埋置于该绝缘层中，该底电极具有一凹陷上表面(concave top surface)低于该绝缘层的一平坦上表面(flat upper surface)；一电阻转换层(resistance switching layer)，设置于该底电极上；和一顶电极(top electrode)，设置于该电阻转换层上并覆盖该电阻转换层。
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