[发明专利]SiC单晶的制造方法及制造装置有效
| 申请号： | 201710016842.X | 申请日： | 2017-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN106958039B | 公开（公告）日： | 2019-09-03 |
| 发明（设计）人： | 加渡干尚;大黑宽典;楠一彦;关和明 | 申请（专利权）人： | 丰田自动车株式会社 |
| 主分类号： | C30B11/00 | 分类号： | C30B11/00;C30B29/36 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 李英 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及SiC单晶的制造方法及制造装置。提供一种能维持凹形状的生长面、不使夹杂物产生地使SiC单晶生长的SiC单晶的制造方法。SiC单晶的制造方法，其是使保持于晶种保持轴的晶种基板与具有从内部向液面温度降低的温度梯度的Si‑C溶液接触，从而使SiC单晶晶体生长的SiC单晶的制造方法，其中，晶种保持轴具有轴部和在该轴部的下端的晶种保持部，轴部的直径D1相对于晶种保持部的直径D2的比D1/D2为0.28以下。 | ||
| 搜索关键词： | sic 制造 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.SiC单晶的制造方法，其是使保持于晶种保持轴的晶种基板与具有从内部向液面温度降低的温度梯度的Si‑C溶液接触，从而使SiC单晶晶体生长的SiC单晶的制造方法，其中，所述晶种保持轴具有轴部和在所述轴部的下端的晶种保持部，所述轴部的直径D1相对于所述晶种保持部的直径D2的比D1/D2为0.28以下，所述晶种保持部的周缘部的厚度大于所述晶种保持部的中央部的厚度。
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