[发明专利]半导体装置的制造方法和半导体装置

摘要

本公开涉及半导体装置的制造方法和半导体装置。将用作偏移间隔膜并且形成在偏移监测区域中的绝缘膜的厚度被管理为形成在SOTB晶体管STR的栅极电极的侧壁表面等之上的偏移间隔膜的厚度。当所测量的厚度在标准厚度的容差内时，设置标准注入能量和标准剂量。当所测量的厚度小于标准厚度时，设置分别低于其标准值的注入能量和剂量。当所测量的厚度大于标准厚度时，设置分别高于其标准值的注入能量和剂量。

主权项

一种半导体装置的制造方法，包括以下步骤：提供半导体衬底，在所述半导体衬底的表面之上通过插入掩埋绝缘膜而形成半导体层；在所述半导体衬底中限定包括第一元件形成区域和第一监测区域的多个区域；形成多个栅极电极，包括在位于所述第一元件形成区域中的半导体层中形成第一栅极电极的步骤；形成层叠绝缘膜，所述层叠绝缘膜包括覆盖所述第一元件形成区域中的所述半导体层的表面和所述第一栅极电极的侧壁表面中的每一个并覆盖所述第一监测区域中的衬底的第一绝缘膜；形成第一掩模部件，所述第一掩模部件暴露位于所述第一元件形成区域中的所述层叠绝缘膜并覆盖位于所述第一监测区域中的所述层叠绝缘膜；对所述层叠绝缘膜执行第一过程，包括以下步骤：通过使用所述第一掩模部件作为蚀刻掩模对所述层叠绝缘膜执行蚀刻过程，形成包括包含所述第一绝缘膜的偏移间隔膜的第一侧壁绝缘膜以覆盖所述第一元件形成区域中的所述第一栅极电极的侧壁表面和半导体层，并且所述层叠绝缘膜留在所述第一监测区域中；在去除所述第一掩模部件之后，通过外延生长过程在位于所述第一元件形成区域中的暴露的半导体层的表面之上形成升高的外延层；对所述层叠绝缘膜执行第二过程，包括以下步骤：去除所述第一元件形成区域中的所述第一侧壁绝缘膜的除偏移间隔膜以外的膜，并去除所述第一监测区域中的所述层叠绝缘膜的除所述第一绝缘膜以外的膜；测量位于所述第一监测区域中的所述第一绝缘膜的厚度；基于所述厚度设置用于形成延伸区域的注入条件；以及基于所设置的注入条件，通过注入杂质，在位于所述第一元件形成区域中的半导体层中形成所述延伸区域。