[发明专利]一种电容式微电子气压传感器及其制备方法

摘要

本发明公开了一种基于单晶硅外延封腔工艺的电容式微电子气压传感器及其制备方法，具体是一种基于MEMS微加工技术的电容式气压传感器，由于外延单晶硅工艺成熟，其所形成的硅微结构机械性能良好，尤其利用外延单晶硅所形成的腔体结构密封性能十分优异。由此形成的电容式气压传感器电容值主要由薄膜体厚度决定，并受环境温度及压力影响。基于介电伸缩效应原理，电容介电材料介电常数值随所受压力的变化而变化，并且呈现明显的单调性，该特性可以实现压力或者气压等数据检测。结合MEMS微加工技术，该电容式气压传感器体积小，功耗低，响应时间短。

主权项

一种电容式微电子气压传感器，其特征在于：包括单晶硅密封腔体和基于上下两电极间距离变化量的电容式气压传感器；以单晶硅作为衬底，通过单晶硅外延封腔工艺形成密封腔体结构；通过溅射，光刻，腐蚀工艺，在密封腔上表面的依次生长电容器下电极、牺牲层、上电极；最后在对电容器上电极、电容器下电极进行保护的同时，对牺牲层进行各向同性的腐蚀，去除牺牲层；在单晶硅衬底上设置有金属焊盘和引线用来分别引出电容器的上电极、下电极。