[发明专利]氧化物薄膜晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201710017280.0 | 申请日： | 2017-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN108288650B | 公开（公告）日： | 2021-04-23 |
| 发明（设计）人： | 黄梦;文国哲 | 申请（专利权）人： | 昆山国显光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/417;H01L29/43;H01L21/34 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 215300 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种氧化物薄膜晶体管及其制造方法，其中，所述氧化物薄膜晶体管包括：衬底以及形成于所述衬底上的金属氧化物有源层、栅极绝缘层、栅极、源极、漏极、中间层和源漏引线层，所述栅极绝缘层和中间层包围所述栅极，所述源极和漏极位于所述栅极的相对两侧，且与所述源漏引线层连接；其中，所述源极和漏极均具有一合金层，所述合金层与所述金属氧化物有源层相接触。在本发明提供的氧化物薄膜晶体管及其制造方法中，通过采用具有场松弛效果顶栅结构，以降低栅极与源极、漏极之间的场效应对于薄膜晶体管性能的影响，同时在金属氧化物有源层上形成了合金层，以避免器件中的氢渗透至金属氧化物有源层中与氧结合形成氧空位，由此提高所述氧化物薄膜晶体管的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化物 薄膜晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种氧化物薄膜晶体管，其特征在于，包括：衬底以及形成于所述衬底上的金属氧化物有源层、栅极绝缘层、栅极、源极、漏极、中间层和源漏引线层，所述栅极绝缘层和中间层包围所述栅极，所述源极和漏极位于所述栅极的相对两侧，且与所述源漏引线层连接；其中，所述源极和漏极均具有一合金层，所述合金层与所述金属氧化物有源层相接触。
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