[发明专利]氧化钨—聚吡咯核壳异质结构纳米线及其制备方法

摘要

本发明公开氧化钨—聚吡咯核壳异质结构纳米线及其制备方法，将氧化钨纳米线悬浊液逐滴滴入吡咯聚合反应液中，并向上述混合溶液中滴加浓盐酸，调节上述混合液的PH至1‑4，继续磁力搅拌0.5‑3h，然后向上述溶液中逐滴滴加过硫酸铵溶液，继续搅拌1‑5h后，分离、清洗和干燥后，即得到氧化钨/聚吡咯异质核壳结构纳米线。通过一种优化的吡咯聚合工艺实现吡咯在一维纳米线表面的均匀聚合，从而制备出聚吡咯壳层覆盖均匀且壳层形貌可调控的一维氧化钨/聚吡咯核壳异质结构纳米线，克服传统液相聚合法制备的聚合物壳层薄膜因形貌可控性差而导致的核壳材料性能不稳定的问题。

主权项

1.氧化钨—聚吡咯核壳异质结构纳米线，其特征在于，纳米线长度为700—800nm，聚吡咯壳层厚度为5—20nm，氧化钨纳米线直径为70—80nm，按照下述步骤进行：将氧化钨纳米线悬浮液滴入吡咯聚合反应液中，并向其中滴加盐酸，以使混合体系pH为1‑4，同时对混合体系进行分散均匀；然后在持续分散的条件下，向混合体系中滴加过硫酸铵水溶液，以引发吡咯单体在氧化钨纳米线表面发生聚合反应形成聚吡咯的均匀壳层，形成氧化钨—聚吡咯核壳异质结构纳米线；优选纳米线长度为720—760nm，聚吡咯壳层厚度为10—15nm，氧化钨纳米线直径为75—80nm。