[发明专利]一种用于硅晶体表面织构化腐蚀的化学助剂

摘要

本发明属于半导体硅晶体表面腐蚀技术领域，尤其涉及一种单晶硅表面织构化腐蚀的化学助剂。在晶体硅制备织构图形的腐蚀过程中，形核密度、反应气泡在硅片表面的脱附速度以及气泡在排除过程中对硅片的再吸附对于织构均匀性非常重要。本发明的特征在于根据以上几个重要功能来设计成分和配比，所得到的化学助剂可以帮助晶体硅片在碱性腐蚀液中形成外观均匀一致且反射率低的织构化表面，用于太阳能电池时可以明显提高其光电转化效率。

主权项

一种用于硅晶体表面织构化腐蚀的化学助剂，其特征在于，其组份包含甲组份，质量百分比0.01‑40％；乙组份，质量百分比0.01‑50％；丙组份，质量百分比0.01‑50％；丁组份为余量的水；所述的甲组份包含聚乙二醇和聚乙二醇单烷基醚中的一种或几种的混合物；所述的乙组份包含二甲基甲酰胺、苯胺、硝基甲烷、吡啶、N‑甲基吡咯烷酮、聚乙烯吡咯烷酮、二乙二醇单丁醚、二甘醇中的一种或几种的混合物。所述的丙组份包含十二烷基苯磺酸盐、十二烷基膦酸酯盐、烷基酚聚氧乙烯醚、聚氧乙烯失水山梨醇单月桂酸酯、乙氧基改性聚三硅氧烷、茶多酚、鞣酸和木质素磺酸盐中的一种或者几种的混合物。