[发明专利]一种用于GaN生长的具有隔离保护层的复合衬底制备方法有效
| 申请号： | 201710018987.3 | 申请日： | 2017-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN106611809B | 公开（公告）日： | 2018-09-25 |
| 发明（设计）人： | 汪青;刘丹丹;张国义;梁文林 | 申请（专利权）人： | 东莞市中镓半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/10 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 罗晓林;杨桂洋 |
| 地址： | 523000 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种用于GaN生长的具有隔离保护层的复合衬底制备方法，包括以下步骤：在蓝宝石衬底上外延生长GaN外延层得到蓝宝石基GaN复合衬底；在蓝宝石基GaN复合衬底上的GaN外延层表面制备隔离保护层，使用粘接剂将隔离保护层连接到临时转移衬底上，去除原蓝宝石衬底；在GaN外延层和导热导电转移衬底上分别制备键合介质层，然后通过该键合介质层将GaN外延层和导热导电转移衬底进行键合，实现GaN外延层表面与导热导电转移衬底的键合；键合过程中临时转移衬底脱落，保留或者去除隔离保护层，从而得到相应的GaN基复合衬底。本发明通过设置隔离保护层，避免了工艺过程中GaN外延层的表面损伤，提高良品率和同质外延质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 gan 生长 具有 隔离 保护层 复合 衬底 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于GaN生长的具有隔离保护层的复合衬底制备方法，包括以下步骤：S11，在蓝宝石衬底上外延生长GaN外延层得到蓝宝石基GaN复合衬底；S12，在蓝宝石基GaN复合衬底上的GaN外延层表面制备隔离保护层，使用粘接剂将隔离保护层连接到临时转移衬底上，去除原蓝宝石衬底；S13，在GaN外延层和导热导电转移衬底上分别制备键合介质层，然后通过该键合介质层将GaN外延层和导热导电转移衬底进行键合，实现GaN外延层表面与导热导电转移衬底的键合；S14，键合过程中临时转移衬底脱落，对所获得的复合衬底中的GaN外延层表面的隔离保护层，利用干法或湿法刻蚀工艺制备成图形化周期结构，得到具有隔离保护层的GaN基复合衬底。
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