[发明专利]一种二维类超结LDMOS器件及其制备方法

摘要

本发明公开了一种二维类超结LDMOS器件及其制备方法，该器件一方面采用槽型栅代替常规平面栅，同时将漏极重掺杂区延伸至与漂移区同等深度，使得漂移区超结中P柱与N柱分别接低电位与高电位，PN结在反向电场下更易耗尽；另一方面还将变掺杂思想引入新结构，将漂移区中的P柱区进行阶梯掺杂，掺杂浓度由源极至漏极逐渐降低。本发明的新型阶梯掺杂P柱区的二维类超结LDMOS结构可以消除衬底辅助耗尽效应，平衡漂移区电荷，提高器件击穿电压的同时保持了较好的导通特性；并且，工艺简单，易于制造，可进一步降低生产成本。

主权项

一种二维类超结LDMOS器件，元胞结构包括纵向自下而上的硅衬底（1）和半导体有源层；其特征在于：在半导体有源层下部为N型漂移区（2）；位于N型漂移区（2）上、在半导体有源层表面一侧设有P‑体区（3），P‑体区（3）内设有相邻的第一重掺杂注入区（6）和第二重掺杂注入区（7），第一重掺杂注入区（6）和第二重掺杂注入区（7）的共同引出端为源电极；在半导体有源层表面另一侧设有第三重掺杂注入区（8），第三重掺杂注入区（8）的引出端为漏电极；位于N型漂移区（2）上、在P‑体区（3）与第三重掺杂注入区（8）之间为P型漂移区（10）；所述P‑体（3）区侧面设有相邻的栅氧化层（4），栅氧化层（4）的引出端为栅电极，栅电极纵向完全覆盖P‑体区（3）；栅电极与源电极之间和源电极与漏电极之间设有场氧化层（13）。