[发明专利]一种缓冲式多晶硅籽晶熔化控制的装料方法在审
| 申请号： | 201710019712.1 | 申请日： | 2017-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN106835271A | 公开（公告）日： | 2017-06-13 |
| 发明（设计）人： | 王强;尤敏;陈云;朱海峰;邓洁;邓洪海;章国安 | 申请（专利权）人： | 南通大学 |
| 主分类号： | C30B28/06 | 分类号： | C30B28/06;C30B29/06 |
| 代理公司： | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙)32249 | 代理人： | 徐激波 |
| 地址： | 226000*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种缓冲式多晶硅籽晶熔化控制的装料方法，包括以下步骤在坩埚底部铺设一层多晶硅块作为定向凝铸半熔工艺的籽晶层；在籽晶层上码放小颗粒原生多晶硅料和细小多晶硅碎片，作为缓冲层；在缓冲层上码放一层多晶硅晶砖，作为阻挡层；使用小颗粒原生多晶硅料将上述步骤中的多晶硅晶砖的缝隙填满；在阻挡层上逐层码放如下硅料菜籽料、原生多晶硅料、头尾及边皮料，直至堆放硅料高出坩埚。本发明中的缓冲式籽晶熔化控制技术截断了硅熔液从顶部熔化后直接沿硅料缝隙侵蚀籽晶层的通道，避免了籽晶层出现局部过熔现象。采用缓冲式籽晶熔化控制技术可以延长硅锭的直线缺陷区的长度，降低硅锭底部红区的高度，提高硅锭质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 缓冲 多晶 籽晶 熔化 控制 装料 方法 | ||
【主权项】：
一种缓冲式多晶硅籽晶熔化控制的装料方法，其特征在于：包括以下步骤：步骤a、在坩埚(6)底部铺设一层多晶硅块作为定向凝铸半熔工艺的籽晶层(1)；步骤b、在籽晶层(1)上码放小颗粒原生多晶硅料和细小多晶硅碎片，作为缓冲层(2)；步骤c、在缓冲层(2)上码放一层多晶硅晶砖，作为阻挡层(3)，所述阻挡层(3)的中心处共使用25块晶砖，边侧各用晶砖填满；步骤d、使用小颗粒原生多晶硅料将上述步骤中的多晶硅晶砖的缝隙填满；步骤e、在阻挡层(3)上逐层码放如下硅料(4)：菜籽料、原生多晶硅料、头尾及边皮料，直至堆放硅料高出坩埚100‑120mm。
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