[发明专利]薄膜晶体管的制备方法及具有导电孤岛的薄膜晶体管

摘要

本发明公开一种薄膜晶体管的制备方法，制备方法包括：设置基板，在基板上制备栅极薄膜；对栅极薄膜依次进行涂胶、烘烤、光刻、显影、刻蚀和去胶，形成栅电极；在栅电极上制备绝缘层，并在绝缘层上制备源漏电极层；对源漏电极层依次进行涂胶、烘烤、光刻、显影、刻蚀和去胶，同时形成漏电极、源电极和导电孤岛，其中导电孤岛位于漏电极及源电极之间；在漏电极、源电极及导电孤岛之间的间隙内制备半导体层。本发明提供的薄膜晶体管的制备方法，在刻蚀源漏电极的同时，能在源漏电极沟道间制备得到纳米级的导电孤岛，简化了制备薄膜晶体管的工艺步骤，降低了薄膜晶体管的制备成本，而且大幅度提升了薄膜晶体管的稳定性和开态电流。

主权项

1.一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：设置基板，在所述基板上制备栅极薄膜；对所述栅极薄膜依次进行涂胶、烘烤、光刻、显影、刻蚀和去胶，形成栅电极；在所述栅电极上制备绝缘层，并在所述绝缘层上制备源漏电极层；对所述源漏电极层依次进行涂胶、烘烤、光刻、显影、湿法刻蚀和去胶，同时形成漏电极、源电极和导电孤岛，其中所述导电孤岛位于所述漏电极及所述源电极之间，湿法刻蚀液为硝酸、硫酸、草酸和去离子水的混合液，通过调整湿法刻蚀液的用量以及刻蚀时间同时形成漏电极、源电极、位于漏电极和源电极之间的导电孤岛；在所述漏电极、所述源电极及所述导电孤岛之间的间隙内制备半导体层。