[发明专利]一种去除刻蚀后基片表面光刻胶的方法及实施装置有效
| 申请号： | 201710020499.6 | 申请日： | 2017-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN106683983B | 公开（公告）日： | 2019-07-02 |
| 发明（设计）人： | 梁万国;李广伟;张新汉;陈怀熹;缪龙;冯新凯;邹小林 | 申请（专利权）人： | 福建中科晶创光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/027;H01L21/67 |
| 代理公司： | 福州科扬专利事务所 35001 | 代理人： | 罗立君 |
| 地址： | 350108 福建省福州市闽侯县上街镇科技东路中*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种去除刻蚀后基片表面光刻胶的方法及实施装置，该方法包括以下依序进行的步骤：步骤一：采用等离子灰化工艺去除刻蚀后基片表面上残余的光刻胶；步骤二：使用清洁胶涂覆在步骤一中的灰化后的基片的表面；步骤三：待基片表面的清洁胶风干固化后，将基片表面的清洁胶撕除。该方法及实施装置既能达到清洗的目的，又达到操作简便易行、后续工艺简单的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 去除 刻蚀 后基片 表面 光刻 方法 实施 装置 | ||
【主权项】：
1.一种用于实施去除刻蚀后基片表面光刻胶的方法使用的装置，其特征在于：包括柜体(10)，柜体(10)内从上到下依次设置有送风室(1)、喷胶室(2)、环状中空的风环(4)和操作台(3)，送风室(1)内设置有送风装置(12)；喷胶室(2)内设置有液腔(21)和雾腔(22)，液腔(21)位于雾腔(22)上方且与雾腔(22)相互连通，液腔(21)的底部设置有一超声波雾化装置(23)，雾腔(22)底部均匀开设有若干通孔；风环(4)位于喷胶室(2)下方外侧，风环(4)具有向内弯折且逐渐缩小的出风端(422)，风环(4)底部与送风室(1)的出风口连通，出风端(422)正对操作台(3)内一环形的通风管道(321)，通风管道(321)与送风室(1)的进风口连通；操作台(3)上固定连接有去胶装置(6)，去胶装置(6)为一包括若干格栅的方形框体，操作台(3)内部设置有一可伸入和缩回操作台(3)内的托板(7)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于福建中科晶创光电科技有限公司，未经福建中科晶创光电科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710020499.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
