[发明专利]绿色合成二维过渡金属碳化物或者氮化物纳米片的方法在审
| 申请号： | 201710021027.2 | 申请日： | 2017-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN106744732A | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 耿凤霞;宣琎楠;王志强 | 申请（专利权）人： | 苏州大学 |
| 主分类号： | C01B21/06 | 分类号： | C01B21/06;C01B32/914;C01B32/921;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)32256 | 代理人： | 王锋 |
| 地址： | 215123 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种绿色合成二维过渡金属碳化物或氮化物纳米片的方法，其包括将腐蚀插层剂与三元层状陶瓷材料混合并进行腐蚀插层反应后，再通过剪切分散处理获得二维过渡金属碳化物纳米片或二维过渡金属氮化物纳米片。本发明提供的二维过渡金属碳化物或氮化物纳米片合成工艺，绿色环保，过程简单，易操作，流程安全可控，耗时耗能少，丰富了二维过渡金属碳化物或者氮化物纳米片的合成方式，能有效促进二维过渡金属碳化物或氮化物纳米片的推广应用。 | ||
| 搜索关键词： | 绿色 合成 二维 过渡 金属 碳化物 或者 氮化物 纳米 方法 | ||
【主权项】：
一种绿色合成二维过渡金属碳化物或氮化物纳米片的方法，其特征在于包括：将腐蚀插层剂与三元层状陶瓷材料在室温下混合并进行腐蚀插层反应后，再通过剪切分散处理获得二维过渡金属碳化物纳米片或二维过渡金属氮化物纳米片。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州大学，未经苏州大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710021027.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
