[发明专利]一种干刻预处理方法及经该方法制得的铜柱凸块有效
| 申请号： | 201710021189.6 | 申请日： | 2017-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN108305861B | 公开（公告）日： | 2020-06-09 |
| 发明（设计）人： | 葛飞;吴欣华 | 申请（专利权）人： | 中芯长电半导体（江阴）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L21/60 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 王华英 |
| 地址： | 214437 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种干刻预处理方法，包括以下步骤：1)提供一具有铜柱的芯片，且所述铜柱的上方具有焊料层；2)将所述芯片置于真空反应腔中，并进行氧化气体或所述氧化气体混合惰性气体干刻预处理，使得所述铜柱外表面形成氧化铜；3)高温回流所述焊料层，形成焊料凸点。本发明中公开的方法是在高温回流前加一步氧化气体干刻预处理工艺让铜柱侧壁氧化，避免焊料层经高温回流后发生流淌现象，且对保护层的刻蚀量为零，提高了芯片的可靠性和稳定性，本发明的干刻预处理方法低成本，零伤害，高效率，有效克服了现有技术中的种种缺点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 预处理 方法 法制 铜柱凸块 | ||
【主权项】：
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