[发明专利]基于m面SiC衬底的半极性AlN薄膜及其制备方法有效
| 申请号： | 201710021574.0 | 申请日： | 2017-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN106816504B | 公开（公告）日： | 2019-01-29 |
| 发明（设计）人： | 许晟瑞;赵颖;彭若诗;樊永祥;张进成;李培咸;姜腾;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L33/16 | 分类号： | H01L33/16;H01L33/20;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 陕西电子工业专利中心 61205 | 代理人： | 王品华;朱红星 |
| 地址： | 710071 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于m面SiC图形衬底的半极性AlN薄膜，主要解决现有技术工艺复杂，制作周期长和费用高的问题。其自下而上包括：100‑500μm厚的m面SiC衬底层、20‑120nm厚的GaN成核层、1500‑5000nm厚的Al组分渐变AlGaN层和1000‑2500nm厚的半极性AlN层，其中m面SiC衬底层的表面设有由金刚石砂纸打磨形成的衬底条纹，以提高AlN材料的质量；Al组分渐变AlGaN层的Al组分从5％渐变至100％，用以降低AlN材料的应力。本发明的制备过程无需进行光刻，缩短了制作周期和减小费用成本，可用于制作半极性AlN基的紫外和深紫外半导体器件。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 sic 衬底 极性 aln 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于m面SiC衬底的半极性AlN薄膜，自下而上包括：m面SiC衬底层、GaN成核层、AlGaN层和半极性AlN层，其特征在于：所述m面SiC衬底层，其表面设有通过金刚石砂纸打磨形成的锯齿状衬底条纹；所述AlGaN层，其采用Al组分从5％渐变至100％的渐变AlGaN层。
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