[发明专利]一种低密度中子屏蔽材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201710022555.X | 申请日： | 2017-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN106750820B | 公开（公告）日： | 2020-11-24 |
| 发明（设计）人： | 陈洪兵;刘波;王浦澄;石建敏;敖银勇 | 申请（专利权）人： | 中国工程物理研究院核物理与化学研究所 |
| 主分类号： | C08L23/06 | 分类号： | C08L23/06;C08L79/08;C08L23/12;C08L63/00;C08L29/04;C08L71/02;C08L7/00;C08L33/04;C08L5/02;C08L5/06;C08K3/38;C08K3/34;C08K3/32;G21F1/10 |
| 代理公司： | 成都其高专利代理事务所(特殊普通合伙) 51244 | 代理人： | 廖曾 |
| 地址： | 621054 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： |
本发明涉及中子屏蔽材料技术领域，尤其涉及一种低密度中子屏蔽材料及其制备方法，该材料由聚合物溶液或乳液、含硼化合物及黏土经共混后冷冻干燥而成，制得材料密度0.05~0.5g/cm |
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| 搜索关键词： | 一种 密度 中子 屏蔽 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种低密度中子屏蔽材料，包括含硼化合物，其特征在于：通过将该含硼化合物加入到配置好的聚合物溶液或乳液中，混合均匀，冷冻干燥而成。
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