[发明专利]互补金属氧化物半导体图像传感器有效
| 申请号： | 201710022597.3 | 申请日： | 2017-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN106960855B | 公开（公告）日： | 2022-02-25 |
| 发明（设计）人： | 井原久典;安言卓 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开涉及互补金属氧化物半导体图像传感器。一种互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器被提供，其包括衬底，衬底包括第一表面、面对第一表面的第二表面、以及从第一表面向第二表面凹陷的第一凹陷区域。CMOS图像传感器还包括在衬底上的传输栅，以及在第一凹陷区域上的源极跟随器栅。源极跟随器栅在第一凹陷区域中并且部分覆盖衬底的第一表面的一部分。 | ||
| 搜索关键词： | 互补 金属 氧化物 半导体 图像传感器 | ||
【主权项】：
一种互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器，包括：衬底，其包括第一表面、面对所述第一表面的第二表面、以及从所述第一表面向所述第二表面凹陷的第一凹陷区域；在所述衬底上的传输栅；以及对应于所述第一凹陷区域设置的源极跟随器栅，其中所述源极跟随器栅填充所述第一凹陷区域并且部分地覆盖所述衬底的所述第一表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
