[发明专利]一种氟化二噻吩乙烯聚合物及其制备方法与应用在审
| 申请号： | 201710022687.2 | 申请日： | 2017-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN106832230A | 公开（公告）日： | 2017-06-13 |
| 发明（设计）人： | 张卫锋;陈智慧;魏聪源;于贵 | 申请（专利权）人： | 中国科学院化学研究所 |
| 主分类号： | C08G61/12 | 分类号： | C08G61/12;H01L51/05;H01L51/30 |
| 代理公司： | 北京元中知识产权代理有限责任公司11223 | 代理人： | 另婧 |
| 地址： | 100190 北京市海淀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氟化二噻吩乙烯聚合物，结构式如式(I)所示，该聚合物具有刚性平面结构，薄膜中易形成紧密分子间堆积，薄膜堆积具有较强的长程有序性，在半导体材料中具有较强的紫外‑可见吸收和良好的热学稳定性，能级结构有利于载流子注入，可以制备较高性能双极性场效应晶体管。本发明的氟化二噻吩乙烯聚合物的合成路线简单、高效，反应收率高，后处理简单，聚合度高，适合大规模合成。本发明氟化二噻吩乙烯聚合物半导体材料中为半导体层制备的有机场效应晶体管具有很高的空穴迁移率和开关比。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氟化 噻吩 乙烯 聚合物 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
一种氟化二噻吩乙烯聚合物，其特征在于，所述的氟化二噻吩乙烯聚合物的结构式如式(I)所示：其中，R1、R2为C1－C100的直链或支链烷烃，R1与R2相同或不同，n为聚合度，n＝10‑1000，优选n＝20‑500。
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