[发明专利]修正编程电压的存储器设备编程方法有效
| 申请号： | 201710023495.3 | 申请日： | 2017-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN107068190B | 公开（公告）日： | 2020-10-27 |
| 发明（设计）人： | 朱相炫;任载禹 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/34 | 分类号： | G11C16/34 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 倪斌 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种对作为包括多个页的非易失性存储器设备的闪存设备进行编程的方法，包括：通过以下操作来执行编程操作的第N编程循环：将第N所选编程电压施加到所述多个页中的所选字线，并且通过将编程验证电压施加到所选字线来执行编程验证操作；对与所选字线相连接的存储单元中阈值电压大于或等于编程验证电压的存储单元的数量进行计数；基于计数的结果和第N编程循环的操作条件生成编程电压修正值；以及将编程电压修正值加到在第N编程循环之后执行的第M编程循环的第M预设编程电压，其中M＞N。 | ||
| 搜索关键词： | 修正 编程 电压 存储器 设备 方法 | ||
【主权项】：
一种对包括多个页的闪存设备进行编程的方法，所述编程方法包括：通过以下操作来执行编程操作的第N编程循环：将第N编程电压施加到所述多个页中的所选字线，并且通过将编程验证电压施加到所选字线来执行编程验证操作；对与所选字线相连接的存储单元中阈值电压大于或等于所述编程验证电压的存储单元的数量进行计数；基于所述计数的结果和所述第N编程循环的操作条件生成电压修正值；以及将所述电压修正值加到在所述第N编程循环之后执行的第M编程循环的第M预设编程电压。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社，未经三星电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710023495.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：电子存储调试设备
- 下一篇：非易失性存储器装置和非易失性存储器装置的编程方法
