[发明专利]背照式高速光电二极管接收芯片及其制作方法

摘要

本发明提出了一种背照式高速光电二极管接收芯片及其制作方法，芯片包括：外延层，包括P型台面、N型台面、磷化铟衬底；P型台面包括铟砷化镓吸收层、磷砷化镓铟渐变层、反射镜面层、磷化铟顶层、铟砷化镓接触层；N型台面包括磷化铟缓冲层；其中，磷化铟衬底上依次生长磷化铟缓冲层，铟砷化镓吸收层、磷砷化镓铟渐变层、反射镜面层、磷化铟顶层、铟砷化镓接触层；集成微透镜，设置于磷化铟衬底的一侧，且集成微透镜与磷化铟缓冲层在磷化铟衬底的不同侧。本发明能够在确保芯片扩散源区面积保持不变的情况下，扩展芯片的光吸收面积，解决芯片扩散源区面积小所导致的耦合效率低的问题，以及加入反射镜面层能够使芯片的量子效率得到改善。

主权项

一种背照式高速光电二极管接收芯片，其特征在于，包括：外延层，包括P型台面、N型台面、磷化铟衬底；所述P型台面包括铟砷化镓吸收层、磷砷化镓铟渐变层、反射镜面层、磷化铟顶层、铟砷化镓接触层；所述N型台面包括磷化铟缓冲层；其中，所述磷化铟衬底上依次生长所述磷化铟缓冲层，所述铟砷化镓吸收层、所述磷砷化镓铟渐变层、所述反射镜面层、所述磷化铟顶层、所述铟砷化镓接触层；集成微透镜，设置于所述磷化铟衬底的一侧，且所述集成微透镜与所述磷化铟缓冲层在所述磷化铟衬底的不同侧。