[发明专利]一种基于聚合物微球制备纳米级图形化蓝宝石衬底的方法有效

专利信息
申请号: 201710024540.7 申请日: 2017-01-11
公开(公告)号: CN106784225B 公开(公告)日: 2019-03-01
发明(设计)人: 翁国恩;陈少强;胡小波;涂亮亮;魏明德 申请(专利权)人: 华东师范大学;徐州同鑫光电科技股份有限公司
主分类号: H01L33/22 分类号: H01L33/22;H01L33/00
代理公司: 上海麦其知识产权代理事务所(普通合伙) 31257 代理人: 董红曼
地址: 200062 上*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种基于聚合物微球制备纳米级图形化蓝宝石衬底的方法,首先在蓝宝石衬底上生长一层二氧化硅层;然后在二氧化硅层上自组装形成单层紧密排列的聚合物微球阵列;接着对聚合物微球进行干法刻蚀以减小微球的直径,形成非紧密规则排列的聚合物微球阵列;然后以上述非紧密规则排列的聚合物微球阵列为掩模,对二氧化硅层进行刻蚀得到规则排列的二氧化硅纳米柱;最后以二氧化硅纳米柱为掩模对蓝宝石衬底进行刻蚀,得到所述纳米级图形化蓝宝石衬底。本发明的方法简单易行、重复性好、成品率高、生产成本低,适用于各种尺寸的图形化蓝宝石衬底的制备,适用于企业大规模生产。本发明还公开了所述纳米级图形化蓝宝石衬底在GaN基LED中的应用。
搜索关键词: 一种 基于 聚合物 制备 纳米 图形 蓝宝石 衬底 方法
【主权项】:
1.一种基于聚合物微球制备纳米级图形化蓝宝石衬底的方法,其特征在于,所述方法包括以下步骤:1)选取蓝宝石衬底,在其表面蒸发或溅射一层高致密性二氧化硅层;2)在步骤1)中的二氧化硅层上采用自组装方法形成单层紧密排列的聚合物微球阵列;3)对步骤2)中的聚合物微球阵列进行干法刻蚀以减小微球的半径,形成非紧密规则排列的聚合物微球阵列;4)以步骤3)中非紧密规则排列的聚合物微球阵列为掩模对二氧化硅层进行刻蚀,得到规则排列的二氧化硅纳米柱;5)以步骤4)中的二氧化硅纳米柱为掩模对蓝宝石衬底进行刻蚀,最后得到所述纳米级图形化蓝宝石衬底。
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