[发明专利]湿法刻蚀系统及湿法刻蚀方法在审
| 申请号： | 201710024793.4 | 申请日： | 2017-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN106653659A | 公开（公告）日： | 2017-05-10 |
| 发明（设计）人： | 薛大鹏 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/3213 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙)11201 | 代理人： | 赵天月 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了湿法刻蚀系统及进行湿法刻蚀的方法。该系统包括刻蚀液储存装置，所述刻蚀液储存单元包括刻蚀液储罐、刻蚀液出口以及刻蚀液回收口，所述刻蚀液出口以及所述刻蚀液回收口设置在所述刻蚀液储罐上；刻蚀装置，所述刻蚀单元分别与所述刻蚀液出口以及所述刻蚀液回收口相连，用于利用所述刻蚀液储罐中的刻蚀液对待刻蚀件进行刻蚀处理；以及金属离子调节装置，所述金属离子调节装置与所述刻蚀液储存装置相连，用于调节所述刻蚀液中的金属离子浓度。该系统可以实现刻蚀液中金属离子浓度的自动调节。 | ||
| 搜索关键词： | 湿法 刻蚀 系统 方法 | ||
【主权项】：
一种湿法刻蚀系统，其特征在于，包括：刻蚀液储存装置，所述刻蚀液储存单元包括刻蚀液储罐、刻蚀液出口以及刻蚀液回收口，所述刻蚀液出口以及刻蚀液回收口设置在所述刻蚀液储罐上；刻蚀装置，所述刻蚀单元分别与所述刻蚀液出口以及所述刻蚀液回收口相连，用于利用所述刻蚀液储罐中的刻蚀液对待刻蚀件进行刻蚀处理；金属离子调节装置，所述金属离子调节装置与所述刻蚀液储存装置相连，用于调节所述刻蚀液中的金属离子浓度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
