[发明专利]垂直取向结构的二维有机-无机杂化钙钛矿薄膜材料有效
申请号: | 201710024826.5 | 申请日: | 2017-01-13 |
公开(公告)号: | CN106803538B | 公开(公告)日: | 2019-08-23 |
发明(设计)人: | 陈红征;鄢杰林;付伟飞;吴刚 | 申请(专利权)人: | 浙江大学 |
主分类号: | H01L51/46 | 分类号: | H01L51/46;H01L51/48 |
代理公司: | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人: | 张法高;傅朝栋 |
地址: | 310058 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明公开了具有垂直取向结构的二维有机‑无机杂化钙钛矿薄膜材料,其特征在于制备过程为:首先将甲脒氢碘酸盐、有机胺氢碘酸盐、碘化铅、晶体生长调节剂混合溶解于有机溶剂中获得前驱体溶液;然后将前驱体溶液旋涂成膜,并退火。本发明采用在三维有机‑无机杂化钙钛矿材料中引入大体积有机胺和晶体生长调节剂的方法,通过对活性层材料化学结构的设计、晶体结构的调控,一方面使晶体薄膜具有垂直基底取向生长的特征以获得良好的载流子输运能力,另一方面提高了材料在潮湿环境中的稳定性。对于实现可大面积溶液加工的高稳定、高效率光电器件具有十分重要的意义。 | ||
搜索关键词: | 垂直 取向 结构 二维 有机 无机 杂化钙钛矿 薄膜 材料 | ||
【主权项】:
1.一种具有垂直取向结构的二维有机‑无机杂化钙钛矿薄膜材料,其特征在于制备过程为:首先将甲脒氢碘酸盐、有机胺氢碘酸盐、碘化铅、晶体生长调节剂混合溶解于有机溶剂中获得前驱体溶液;然后将前驱体溶液旋涂成膜,并退火;所述的晶体生长调节剂为硫氰酸铵、氯化铵、二甲基亚砜。
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H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
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