[发明专利]一种宽禁带半导体器件辐射效应激光模拟系统有效
| 申请号： | 201710024954.X | 申请日： | 2017-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN106771952B | 公开（公告）日： | 2023-07-28 |
| 发明（设计）人： | 孙鹏;李沫;汤戈;龙衡;李倩;陈飞良;代刚;张健 | 申请（专利权）人： | 中国工程物理研究院电子工程研究所 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 成都天嘉专利事务所(普通合伙) 51211 | 代理人： | 蒋斯琪 |
| 地址： | 621999 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种宽禁带半导体器件辐射效应激光模拟系统，该系统包括短波长脉冲激光产生与衰减系统、显微成像与能量监测系统、测试与控制系统三个部分。本发明可利用短波长脉冲激光辐照宽禁带半导体器件，在半导体器件中产生电离效应，模拟伽马射线等辐射源作用于半导体器件的辐射电离效应，填补了宽禁带半导体器件的辐射电离效应激光模拟系统的空白，且该系统具有结构紧凑、安全性高等特点，降低了试验成本，提高了试验效率，为有针对性的对宽禁带半导体器件进行抗辐射加固设计提供了有效手段。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 宽禁带 半导体器件 辐射 效应 激光 模拟 系统 | ||
【主权项】：
一种宽禁带半导体器件辐射效应激光模拟系统，其特征在于：包括短波长脉冲激光产生与衰减系统（I）、显微成像与能量监测系统（II）、测试与控制系统（III）；所述短波长脉冲激光产生与衰减系统（I），用于产生短波长脉冲激光，并对根据实际实验需求对单脉冲激光的能量进行衰减；所述显微成像与能量监测系统（II），用于对宽禁带半导体器件测试样品（14）进行成像，并对作用于宽禁带半导体器件测试样品（14）的脉冲激光进行能量测量；所述测试与控制系统（III），用于采集并记录宽禁带半导体器件测试样品（14）辐射电离效应的响应电信号。
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