[发明专利]高性能永磁体制备方法及含该永磁体的真空波荡器磁结构有效
| 申请号： | 201710025410.5 | 申请日： | 2017-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN106847494B | 公开（公告）日： | 2018-08-24 |
| 发明（设计）人： | 何永周 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海应用物理研究所 |
| 主分类号： | H01F41/02 | 分类号： | H01F41/02;H01F1/057 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人： | 邓琪;余中燕 |
| 地址： | 201800 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种高性能永磁体制备方法及含该永磁体的真空波荡器磁结构，其中所述永磁体制备方法包括：S1，提供一磁化方向厚度为2.0mm‐2.5mm的永磁体；S2，在所述永磁体的表面覆盖TbF3粉末后将其置于一钼金属盒内，而后对其依次进行高温晶界扩散处理及回火处理；S3，在经过所述步骤S2的永磁体表面镀NiCuNi层、TiN层或NiCuTiN层；S4，对经过所述步骤S3的永磁体进行饱和磁化处理；S5，对经过所述步骤S4的永磁体进行老化处理。本发明解决了现有技术中永磁体内禀矫顽力的一致性欠佳、永磁体取向厚度未优化等问题。 | ||
| 搜索关键词： | 性能 永磁体 制备 方法 真空 波荡 结构 | ||
【主权项】：
1.一种高性能永磁体制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1，提供一磁化方向厚度为2.0mm‑2.5mm的永磁体；S2，在所述永磁体的表面覆盖粒径为1‑7μm的TbF3粉末后将其置于一钼金属盒内，而后对其依次进行高温晶界扩散处理及回火处理；S3，在经过所述步骤S2的永磁体表面镀NiCuNi层、TiN层或NiCuTiN层；S4，对经过所述步骤S3的永磁体进行饱和磁化处理；以及S5，对经过所述步骤S4的永磁体进行老化处理。
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