[发明专利]反馈晶体生长状态的方法、晶体生长控制方法及控制系统有效
申请号: | 201710025411.X | 申请日: | 2017-01-13 |
公开(公告)号: | CN106801250B | 公开(公告)日: | 2019-05-07 |
发明(设计)人: | 朱允中;王彪;林少鹏;马德才 | 申请(专利权)人: | 中山大学 |
主分类号: | C30B15/22 | 分类号: | C30B15/22 |
代理公司: | 广州骏思知识产权代理有限公司 44425 | 代理人: | 吴静芝 |
地址: | 510275 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明涉及一种反馈晶体生长状态的方法,通过采集晶体生长过程中的晶体和熔体间的界面相电动势,获得实时变化的电信号,由所述实时变化的电信号反馈晶体生长状态。本发明还涉及一种晶体生长控制方法,通过采集晶体生长过程中的晶体和熔体间的界面相电动势,获得实时变化的电信号,根据所述实时变化的电信号调整晶体生长的条件参数,从而控制晶体生长。本发明还涉及一种晶体生长控制系统,包括晶体生长控制装置、生长信号采集单元和信号处理单元。通过本发明的方法可以精确反馈晶体生长的整体状态,克服判断滞后的缺陷,实时控制晶体生长工作。 | ||
搜索关键词: | 反馈 晶体生长 状态 方法 控制 控制系统 | ||
【主权项】:
1.一种反馈晶体生长状态的方法,其特征在于:从盛放晶体原料的坩埚和安放籽晶的籽晶杆分别引出电极,在提拉生长晶体的过程中,采集晶体生长过程中的晶体和熔体间的界面相电动势,以获得实时变化的电信号,由所述实时变化的电信号反馈晶体生长状态;在下晶阶段,获得所述电信号从断开状态变为稳定状态的过程,以反馈晶体生长界面的形成过程;在放肩阶段,获得所述电信号增长,以反馈晶体直径增长的过程;在等径阶段,获得所述电信号增长率的变化,以反馈晶体直径的变化;在收尾阶段,获得所述电信号增长率变缓,以反馈晶体生长速度减小;在拉脱阶段,获得所述电信号变为断开状态,以反馈晶体生长完毕。
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