[发明专利]一种高灵敏度半导体纳米紫外光探测器的制备方法

摘要

本发明公开了一种高灵敏度半导体纳米紫外光探测器的制备方法，先制备二维超薄结构单晶ZnO纳米材料；将二维超薄结构单晶ZnO纳米材料从生长衬底转移；将二维超薄结构单晶ZnO纳米材料与有机溶液或去离子水混合；超声分散二维超薄结构单晶ZnO纳米材料的溶液；将所述二维超薄结构单晶ZnO纳米材料溶液涂覆在半导体、绝缘、导电的衬底表面；沿所述二维超薄结构单晶ZnO纳米材料米材料长度方向，两端镀制金属导电电极；利用掩膜版遮挡二维超薄结构单晶ZnO纳米材料，镀制绝缘氧化物覆盖层，形成绝缘氧化物半遮盖或者对称遮盖结构，得到二维超薄结构单晶ZnO纳米紫外光探测器。本发明具有结构简单、体积小、响应快、灵敏度高等特点。

主权项

1.一种高灵敏度半导体纳米紫外光探测器的制备方法，其特征在于包括如下步骤：1）一个制备二维超薄结构单晶ZnO纳米材料的步骤，采用化学气相沉积法、水热法、磁控溅射法、电子束蒸发、或者分子束外延法方法制备；2）采用超声分散、旋涂有机薄膜以及高纯气体吹扫方法，将所述的二维超薄结构单晶ZnO纳米材料从生长衬底转移；3）将所述的二维超薄结构单晶ZnO纳米材料与有机溶液或去离子水混合，所述的有机溶液为乙醇、丙酮、二甲基甲酰胺、二氯甲烷、辛烷或者异丙醇中的任意一种，所述的二维超薄结构单晶ZnO纳米材料与有机溶液或去离子水的质量比1:1~1:100；4）超声分散步骤3）所述二维超薄结构单晶ZnO纳米材料的溶液，超声功率为1~100 W，时间为1~600 s；5）采用旋涂、提拉、或者点滴的方法将所述二维超薄结构单晶ZnO纳米材料溶液涂覆在半导体、绝缘、导电的衬底表面；采用气体吹扫以及有机溶液冲洗方法，使得所述的二维超薄结构单晶ZnO纳米材料附着在衬底表面；6）采用聚焦离子束或光学显微镜，选取二维超薄结构单晶ZnO纳米材料，所述二维超薄结构单晶ZnO纳米材料长宽比例为100:1~2:1，宽厚比例为10000:1~100:1，厚度小于20 nm；7）利用电子束曝光方法或者光学曝光方法制作掩膜，采用电子束蒸发方法，沿所述二维超薄结构单晶ZnO纳米材料长度方向，两端镀制Au单质、Ti单质、Cr单质、Al单质、Ni单质、或者复合导电薄膜电极，所述的电极的厚度为10~300 nm；8）利用掩膜版遮挡所述二维超薄结构单晶ZnO纳米材料，镀制绝缘氧化物覆盖层，绝缘氧化物覆盖层半遮盖或者对称遮盖所述的电极，覆盖层的厚度为1~300 nm，得到二维超薄结构单晶ZnO纳米紫外光探测器。