[发明专利]高β‑相含量聚偏氟乙烯薄膜的制备方法在审
| 申请号： | 201710026501.0 | 申请日： | 2017-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN106823858A | 公开（公告）日： | 2017-06-13 |
| 发明（设计）人： | 刘力;王毅伟;梁永日;温世鹏 | 申请（专利权）人： | 北京化工大学 |
| 主分类号： | B01D71/34 | 分类号： | B01D71/34;B01D69/12;B01D67/00 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司11203 | 代理人： | 刘萍 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种高β‑相含量聚偏氟乙烯薄膜的制备方法，解决现有聚偏氟乙烯薄膜β‑相含量不够高的问题。本发明将聚偏氟乙烯粉末溶解在溶剂N，N‑二甲基甲酰胺中，60℃水浴搅拌得到聚偏氟乙烯溶液，冷却至室温，再加入调节溶剂挥发速率的溶剂丙酮，磁力搅拌得到均匀溶液。在聚偏氟乙烯溶液中添加聚偏氟乙烯质量1％的镀银二氧化硅纤维作为填料，搅拌得到混合均匀的聚偏氟乙烯混合溶液。将配置好的溶液滴在载玻片上，真空环境中在60℃结晶8h，通过FTIR、XRD、DSC等表征得到制备高β‑相含量聚偏氟乙烯薄膜的最佳填料含量和温度影响。该方法采用溶液涂膜法制备聚偏氟乙烯薄膜，通过加成核剂的方法对晶体结构进行改性，得到高β‑相含量聚偏氟乙烯薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 含量 聚偏氟 乙烯 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种高β‑相含量聚偏氟乙烯薄膜的制备方法，其特征在于，包括下述步骤：a.将聚偏氟乙烯粉末溶于溶剂N，N‑二甲基甲酰胺中，在60℃水浴中搅拌溶解，完全溶解后冷却至室温，得到单一溶剂的聚偏氟乙烯溶液；b.在上述聚偏氟乙烯溶液中加入丙酮，室温磁力搅拌均匀，得到混合溶剂的聚偏氟乙烯溶液，聚偏氟乙烯混合溶剂的溶液浓度为0.8g/10ml，N，N‑二甲基甲酰胺中与丙酮的体积比为8/2；c.在聚偏氟乙烯混合溶剂的溶液中添加聚偏氟乙烯质量1％的镀银二氧化硅纤维作为成核剂，磁力搅拌至得到均匀聚偏氟乙烯混合溶液；d.将配置好的聚偏氟乙烯混合溶液滴在载玻片上，在真空环境中60℃结晶8h，得到镀银二氧化硅纤维/聚偏氟乙烯复合薄膜。
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