[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201710027198.6 | 申请日： | 2017-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN108313975B | 公开（公告）日： | 2019-12-13 |
| 发明（设计）人： | 郑超;王伟 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/02 | 分类号： | B81B7/02;B81C1/00 |
| 代理公司： | 11038 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 曲瑞 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体装置及其制造方法，涉及半导体技术领域。其中，所述装置包括：底部晶圆；在所述底部晶圆上的牺牲层，所述牺牲层具有露出所述底部晶圆的一部分的第一开口和第二开口；在所述牺牲层上的顶部晶圆，所述顶部晶圆覆盖所述第二开口以形成空腔；在所述顶部晶圆和/或所述第一开口下方的底部晶圆上的第一金属层；在所述第一金属层上的粘合层；和在所述粘合层上的作为焊盘的第二金属层。本发明能够降低焊盘的接触电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆 开口 牺牲层 半导体装置 第一金属层 粘合层 焊盘 半导体技术领域 第二金属层 接触电阻 空腔 制造 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，所述装置为电容式MEMS器件，所述装置包括：/n底部晶圆；/n在所述底部晶圆上的牺牲层，所述牺牲层具有露出所述底部晶圆的一部分的第一开口和第二开口；/n在所述牺牲层上的顶部晶圆，所述顶部晶圆覆盖所述第二开口以形成空腔；/n在所述顶部晶圆和/或所述第一开口下方的底部晶圆上的第一金属层；/n在所述第一金属层上的粘合层，所述粘合层包覆所述第一金属层，并且所述粘合层能够与所述底部晶圆和所述顶部晶圆反应；和/n在所述粘合层上的作为焊盘的第二金属层，所述第二金属层包覆所述粘合层；/n其中，所述顶部晶圆和所述底部晶圆包括硅晶圆。/n
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