[发明专利]一种单晶硅提拉炉和生长单晶硅的拉制方法在审
| 申请号： | 201710028070.1 | 申请日： | 2017-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN108301038A | 公开（公告）日： | 2018-07-20 |
| 发明（设计）人： | 夏高强;范协诚;银波;王文;胡颖;罗飞飞;宋高杰 | 申请（专利权）人： | 新疆知信科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/00 | 分类号： | C30B15/00;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 罗建民;邓伯英 |
| 地址： | 830000 新疆维吾尔自治区乌鲁木*** | 国省代码： | 新疆;65 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种单晶硅提拉炉和生长单晶硅的拉制方法，一种单晶硅提拉炉，包括：炉腔，炉腔内设置有用于加热的管式反应器、坩埚、单晶硅提拉机构、用于对坩埚进行加热的加热器，气体硅源在管式反应器内热分解反应生成硅粉，硅粉或者硅粉熔融成为熔融硅进入到坩埚内，单晶硅提拉机构设置于坩埚上方，单晶硅提拉机构用于提拉籽晶将坩埚内的熔融硅拉制生长单晶硅。本发明省略了固体硅料的生产步骤，可以降低能耗，还可以节约生产及处理固体硅料所需的巨额投资，可以避免固体硅料引入污染问题，从而保证生成的单晶硅的纯度，相对于固体硅料的连续补料，气体硅源热分解补充熔融硅料可以更为简便地实现，并且补充熔融硅料的速度可以做到精确的控制。 | ||
| 搜索关键词： | 单晶硅 坩埚 固体硅料 提拉机构 拉制 提拉炉 硅粉 管式反应器 气体硅源 熔融硅料 熔融硅 炉腔 加热 生长 加热器 分解反应 连续补料 生产步骤 污染问题 热分解 补充 省略 内热 熔融 提拉 籽晶 节约 引入 保证 投资 生产 | ||
【主权项】：
1.一种单晶硅提拉炉，其特征在于，包括：炉腔，所述炉腔内设置有用于加热的管式反应器、坩埚、单晶硅提拉机构、用于对所述坩埚进行加热的加热器，气体硅源在所述管式反应器内热分解反应生成硅粉，所述硅粉或者所述硅粉熔融成为熔融硅进入到所述坩埚内，所述单晶硅提拉机构设置于所述坩埚上方，所述单晶硅提拉机构用于提拉籽晶将所述坩埚内的熔融硅拉制生长单晶硅。
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