[发明专利]形成半导体光学器件的方法及半导体光学器件

摘要

本发明公开了一种半导体激光器二极管类型的掩埋异质结构(BH‑LD)。LD设置有台面、第一掩埋层和第二掩埋层，这里，掩埋层设置在台面两侧，以使台面顶部露出。台面包括下包覆层、有源层和上包覆层，这里，包覆层具有彼此相反的导电类型，并与掩埋层结合地构成载流子限制结构。第二掩埋层具有与第一掩埋层的平坦面叠置的平坦面，并且掩埋层的平坦面的部分的厚度比除了平坦面之外的部分的厚度薄。

主权项

一种形成半导体光学器件的方法，包括如下步骤：形成台面，所述台面包括第一导电类型的下包覆层、有源层以及与所述第一导电类型相反的第二导电类型的上包覆层，所述台面两侧使所述下包覆层的表面露出；掩埋所述台面，通过选择性地生长具有所述第二导电类型的第一掩埋层来掩埋所述台面，所述第一掩埋层将所述台面中的所述下包覆层、所述有源层和所述上包覆层的两侧覆盖起来，所述第一掩埋层具有位于所述台面侧的平坦面以及另一表面，所述平坦面的表面取向反映了所述下包覆层的从所述台面两侧露出的表面的表面取向，并且所述另一表面相对于所述平坦面具有更高指数的表面取向，所述平坦面的水平高度高于所述台面中的所述有源层的水平高度；以及生长第二掩埋层，在540℃至580℃之间的温度使所述第一导电类型的所述第二掩埋层在覆盖所述第一掩埋层的同时生长，所述第二掩埋层具有平坦面和另一表面，所述第二掩埋层的所述平坦面与所述第一掩埋层的所述平坦面叠置，并具有与所述第一掩埋层的所述平坦面的所述表面取向相同的表面取向，所述第二掩埋层在所述第一掩埋层的所述平坦面的部分中的厚度比在所述第一掩埋层的所述另一表面的部分中的另一厚度薄。