[发明专利]区熔提纯锗的方法在审
| 申请号： | 201710028833.2 | 申请日： | 2017-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN108315573A | 公开（公告）日： | 2018-07-24 |
| 发明（设计）人： | 赵青松;朱刘 | 申请（专利权）人： | 清远先导材料有限公司 |
| 主分类号： | C22B41/00 | 分类号： | C22B41/00;C22B9/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 511517 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种区熔提纯锗的方法，公开了区熔加热时，以高纯氢气和高纯惰性气体的混合气体作为保护气体；所述惰性气体为氮气或氩气中的一种或两种。本发明通过在惰性气体中加入一定量的氢气，使区熔提纯锗的过程中，减少甚至不产生氧化粉尘，消除安全隐患，同时延长石英管的使用寿命，节约成本。 | ||
| 搜索关键词： | 提纯 惰性气体 高纯惰性气体 氮气 氩气 安全隐患 保护气体 高纯氢气 混合气体 使用寿命 氧化粉尘 氢气 石英管 加热 节约 | ||
【主权项】：
1.一种区熔提纯锗的方法，其特征在于：区熔加热时，以高纯氢气和高纯惰性气体的混合气体作为保护气体；所述惰性气体为氮气或氩气中的一种或两种。
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