[发明专利]一种DFB半导体激光器制备方法及制得的激光器有效
| 申请号： | 201710031147.0 | 申请日： | 2017-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN106711761B | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | 薛正群;苏辉;王凌华;陈阳华;林琦;林中晞 | 申请（专利权）人： | 中国科学院福建物质结构研究所 |
| 主分类号： | H01S5/12 | 分类号： | H01S5/12;H01S5/22;H01S5/343 |
| 代理公司： | 北京知元同创知识产权代理事务所(普通合伙) 11535 | 代理人： | 刘元霞;张祖萍 |
| 地址： | 350002 *** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种DFB半导体激光器制备方法，包括以下步骤：步骤S11、制备外延片：外延片采用波导和有源区结构；步骤S12、制备基片：在外延片表面的光栅层上制备均匀的部分光栅，并对光栅进行掩埋生长；步骤S13、制备脊型波导：对基片进行脊型控制腐蚀，制备多个脊型波导。本发明还涉及该方法制得的DFB半导体激光器。本发明在制备脊型波导结构时在单颗管芯靠近其中间位置制备多个脊型波导，多个脊型波导相互独立，并且有各自的电流注入区域，其中只要有一个脊型波导的出光特性合格，则该管芯合格，由此制备的芯片工艺简便、与常规工艺兼容，能大幅有效地提高DFB半导体激光器的成品率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 dfb 半导体激光器 制备 方法 激光器 | ||
【主权项】：
一种DFB半导体激光器制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S11、制备外延片：外延片采用波导和有源区结构；步骤S12、制备基片：在外延片表面的光栅层上制备均匀的部分光栅，并对光栅进行掩埋生长；步骤S13、制备脊型波导：对基片进行脊型控制腐蚀，制备多个脊型波导。
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