[发明专利]一种基于GaN的高效率高功率密度隔离DC‑DC变换电路在审
申请号: | 201710031283.X | 申请日: | 2017-01-17 |
公开(公告)号: | CN106712529A | 公开(公告)日: | 2017-05-24 |
发明(设计)人: | 杨雁勇;王正仕 | 申请(专利权)人: | 浙江大学 |
主分类号: | H02M3/338 | 分类号: | H02M3/338;H02M3/335 |
代理公司: | 杭州求是专利事务所有限公司33200 | 代理人: | 万尾甜,韩介梅 |
地址: | 310058 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明公开了一种基于GaN的高效率高功率密度隔离DC‑DC变换电路,包括LLC半桥软开关、匝比N11的变压器、滤波电容、Fly‑back辅助电源电路、集成LLC控制UCC25600芯片电路、驱动UCC27714电路、光耦及输出反馈PI调节电路、PEM‑2‑S12‑S5‑D电压转换电路等,其中原边采用GaN器件GS66502B,副边采用GaN器件GS61004B并联同步整流;本发明将LLC谐振电路与同步整流进行结合,采用简单的控制和驱动电路以及辅助电源设计,实现了宽输入电压范围,恒定输出电压12V,200W的DC‑DC变换,电路采用GaN开关器件,提高了变换器效率和功率密度。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 gan 高效率 功率密度 隔离 dc 变换 电路 | ||
【主权项】:
基于GaN的高效率高功率密度隔离DC‑DC变换电路,包括LLC半桥软开关、谐振电感、谐振电容、匝比N:1:1的变压器、及输出整流;其特征在于,所述的LLC半桥软开关采用GaN MOSFET半桥,采用GaN器件GS66502B,所述的输出整流采用GaN MOSFET并联同步整流,采用GaN器件GS61004B,该电路还包括滤波电容、Fly‑back辅助电源电路、集成LLC控制UCC25600芯片电路、驱动UCC27714电路、光耦及输出反馈PI调节电路、PEM‑2‑S12‑S5‑D电压转换电路、UCC24610同步整流控制电路;滤波电容与GaNMOSFET半桥并联连接300‑400V输入电压,UCC25600芯片采集谐振电流,其输出端连接UCC27714电路,UCC27714电路的两路输出各通过一个脉冲驱动变压器与GaNMOSFET半桥中的两个开关管栅极相连,Fly‑back辅助电源电路从输入直流母线取电,用于将300‑400V的输入电压转化为12V为原边芯片UCC25600和UCC27714供电,UCC24610芯片用于给GaNMOSFET并联同步整流电路提供驱动信号,PEM‑2‑S12‑S5‑D电压转换电路用于将原边的12V转化为5V为UCC24610芯片供电,基于431的输出反馈PI调节电路通过光耦反馈到原边控制芯片UCC25600。
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