[发明专利]一种真空系统及控制方法有效
申请号: | 201710031387.0 | 申请日: | 2017-01-17 |
公开(公告)号: | CN106783693B | 公开(公告)日: | 2020-06-02 |
发明(设计)人: | 付文悦;陈立强 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 刘悦晗;陈源 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供一种真空系统及控制方法,包括腔室、第一真空泵、第一进气管、控制器和用于检测腔室的真空度的检测装置,控制器与检测装置和第一真空泵相连,第一进气管与腔室相连。利用第一真空泵对腔室抽真空,当真空度检测值大于第一阈值,且第一真空泵的开启时长达到第一时长时,开启第一进气管,通过第一进气管向腔室内吹入第一气体,利用第一气体轰击附着在腔室内壁的水分子和氧分子,破坏水分子和氧分子与腔室内壁间的附着力,使水分子和氧分子从腔室内壁脱落,从而使水分子和氧分子容易被第一真空泵抽出,进而缩短腔室内真空度下降到预设真空度所需的时间,提高生产产能。 | ||
搜索关键词: | 一种 真空 系统 控制 方法 | ||
【主权项】:
一种真空系统,包括腔室、第一真空泵、控制器和用于检测所述腔室的真空度的检测装置,所述控制器与所述检测装置和所述第一真空泵相连,其特征在于,所述真空系统还包括用于输送第一气体的第一进气管,所述第一进气管与所述腔室相连,所述控制器用于,控制所述第一真空泵开启,接收所述检测装置发送的真空度检测值,并将所述真空度检测值与预设的第一阈值相比较;当所述真空度检测值大于所述第一阈值时,判断所述第一真空泵的开启时长是否达到预设的第一时长,当所述第一真空泵的开启时长达到预设的第一时长时,控制所述第一真空泵待机,并控制所述第一进气管开启。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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