[发明专利]柔性衬底修补结构、制造方法及检测修补方法有效
| 申请号： | 201710032252.6 | 申请日： | 2017-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN106997845B | 公开（公告）日： | 2022-01-11 |
| 发明（设计）人： | 王朝仁;何家充 | 申请（专利权）人： | 财团法人工业技术研究院 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L23/13;H01L23/14 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 祁建国;梁挥 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： |
本发明提供一种柔性衬底修补结构、制造方法及检测修补方法。柔性衬底修补结构包括柔性衬底与至少一修补层。柔性衬底具有规则凹陷。至少一修补层位于柔性衬底上且填满规则凹陷，其中至少一修补层的材料包括具有以下化学式(1)所示单元的聚硅氮烷化合物， |
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| 搜索关键词： | 柔性 衬底 修补 结构 制造 方法 检测 | ||
【主权项】：
一种柔性衬底修补结构，其特征在于，包括：柔性衬底，具有规则凹陷；以及至少一修补层，位于所述柔性衬底上且填满所述规则凹陷，其中所述至少一修补层的材料为聚硅氮烷化合物，其包括具有以下化学式(1)所示单元的聚硅氮烷化合物，其中Rx、Ry及Rz各自分别为氢原子或碳数为1～10的经取代的烷基、未经取代的烷基、烯基或芳香基。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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