[发明专利]固态成像装置、制造固态成像装置的方法以及电子设备有效
申请号: | 201710032520.4 | 申请日: | 2013-07-18 |
公开(公告)号: | CN107104117B | 公开(公告)日: | 2020-12-18 |
发明(设计)人: | 铃木亮司 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/359;H04N9/04 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 陈桂香;曹正建 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本技术方案旨在提供减少阴影和像素间颜色混合的固态成像装置。本发明还提供制造固态成像装置的方法。本技术方案还涉及固态成像装置,其能提供采用该固态成像装置的电子设备、制造该固态成像装置的方法以及电子设备。该固态成像装置包括:基板;像素,每个像素包括形成在该基板中的光电转换单元;以及形成在基板的光入射面侧上的彩色滤光片层。该固态成像装置还包括装置分离部,其形成为按照各个像素划分该彩色滤光片层和该基板,并且其折射率低于该彩色滤光片层和该基板的折射率。 | ||
搜索关键词: | 固态 成像 装置 制造 方法 以及 电子设备 | ||
【主权项】:
一种成像装置,包括:半导体基板,具有作为光入射面侧的第一侧和与该第一侧相对的第二侧;多个像素,每个像素包括形成在该基板中的光电转换单元;以及装置分离部,形成为划分各个像素,该装置分离部包括:固定电荷膜,其布置在所述半导体基板的第一侧处,并且从该第一侧朝向所述半导体基板的第二侧延伸;背面侧绝缘膜,其布置在所述半导体基板的第一侧处,其中,该背面侧绝缘膜的至少一部分直接布置在包括于所述半导体基板中的光电转换单元之上;以及绝缘膜,其中,所述装置分离部延伸到在该半导体基板中的p‑阱区内。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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