[发明专利]TMBS半导体器件及其制作方法、电子装置在审
| 申请号： | 201710032567.0 | 申请日： | 2017-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN108321211A | 公开（公告）日： | 2018-07-24 |
| 发明（设计）人： | 刘剑 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;张建 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种TMBS半导体器件及其制作方法、电子装置，该TMBS半导体器件的制作方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底中形成沟槽；用半导体材料填充满所述沟槽；在所述半导体衬底上形成覆盖所述半导体衬底表面和所述沟槽中的半导体材料的肖特基金属层；在所述肖特基金属层上形成电极层，其中，所述沟槽包括第一区域和位于所述第一区域之下的第二区域，所述第二区域的横向尺寸大于所述第一区域的横向尺寸。该制作方法可以在保持TMBS器件反向耐压不变的前提下，实现正向导通压降的大幅降低，使器件性能得以优化。该半导体器件及电子装置具体类似的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 第一区域 电子装置 衬底 半导体材料 半导体 肖特基金属层 第二区域 制作 半导体衬底表面 正向导通压降 反向耐压 器件性能 电极层 覆盖 优化 | ||
【主权项】：
1.一种TMBS半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底中形成沟槽；用半导体材料填充满所述沟槽；在所述半导体衬底上形成覆盖所述半导体衬底表面和所述沟槽中的半导体材料的肖特基金属层；在所述肖特基金属层上形成电极层，其中，所述沟槽包括第一区域和位于所述第一区域之下的第二区域，所述第二区域的横向尺寸大于所述第一区域的横向尺寸。
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