[发明专利]非易失性存储器装置和非易失性存储器装置的编程方法有效
| 申请号： | 201710032688.5 | 申请日： | 2017-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN107068191B | 公开（公告）日： | 2022-07-15 |
| 发明（设计）人： | 崔昌玟;李奉镕;金东赞;安洙珍 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/34 | 分类号： | G11C16/34 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邵亚丽 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种编程非易失性存储器的方法，包括：对在所选的字线中的存储器单元执行至少两个编程循环，基于执行至少两个编程循环中的每一个的结果生成失败位趋势，基于所生成的失败位趋势预测包括要对存储器单元最后执行的N编程循环的多个编程循环，和基于预测多个编程循环的结果改变当执行N编程循环时提供给存储器单元的N编程电压的电平。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性存储器 装置 编程 方法 | ||
【主权项】：
一种编程非易失性存储器的方法，所述方法包括：对在所选的字线中的存储器单元执行至少两个编程循环；基于执行至少两个编程循环中的每一个的结果生成失败位趋势；基于所生成的失败位趋势，预测用于取得目标阈值电压分布的、包括要对存储器单元最后执行的N编程循环的多个编程循环；和基于预测多个编程循环的结果，改变当执行N编程循环时提供给存储器单元的N编程电压的电平。
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