[发明专利]基于双汉堡结构的差动式压敏元件及其研制方法在审

专利信息
申请号: 201710032959.7 申请日: 2017-01-10
公开(公告)号: CN106768515A 公开(公告)日: 2017-05-31
发明(设计)人: 王璐珩;王斐;朱红求 申请(专利权)人: 中南大学
主分类号: G01L1/18 分类号: G01L1/18;G01L9/02;G01L19/04
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 410083 湖南省长沙市岳麓区*** 国省代码: 湖南;43
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摘要: 发明涉及一种基于双汉堡结构的差动式压敏元件及其研制方法,属于测量技术领域。基于双汉堡结构的差动式压敏元件包括高导电相含量单汉堡结构层和低导电相含量单汉堡结构层,高导电相含量单汉堡结构层由窗口封装膜、高导电相含量压敏膜、热固胶和小电极封装膜构成,低导电相含量单汉堡结构层由大电极封装膜、低导电相含量压敏膜、热固胶和窗口封装膜构成。将高导电相含量单汉堡结构层和低导电相含量单汉堡结构层作为基于双汉堡结构的差动式压敏元件的两个压敏子单元,并利用电桥可减小温度对压敏元件输出的不利影响。利用本发明提出的方法研制的基于双汉堡结构的差动式压敏元件的电极数量比传统的基于单汉堡结构的差动式压敏元件的少,更有利于精简元件结构,以便于将压敏元件安装在更加狭小的空间,特别适用于大型军事与民用设备狭小层间压力测量或机器人指端触觉实现等领域。
搜索关键词: 基于 汉堡 结构 差动 式压敏 元件 及其 研制 方法
【主权项】:
一种基于双汉堡结构的差动式压敏元件及其研制方法,其特征在于,所述的基于双汉堡结构的差动式压敏元件包括高导电相含量单汉堡结构层和低导电相含量单汉堡结构层,高导电相含量单汉堡结构层由窗口封装膜、高导电相含量压敏膜、热固胶和小电极封装膜构成,低导电相含量单汉堡结构层由大电极封装膜、低导电相含量压敏膜、热固胶和窗口封装膜构成。
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