[发明专利]垂直非易失性存储器装置及三维半导体存储器装置

摘要

公开了一种三维半导体存储器装置和垂直非易失性存储器装置，所述三维半导体存储器装置包括：基底，包括单元阵列区域和连接区域；电极结构，包括交替地且竖直地堆叠在基底上的第一电极和第二电极，并且在连接区域上具有阶梯状结构。第一电极和第二电极中的每个可以包括：电极部分，设置在单元阵列区域上，以沿第一方向延伸，并且在垂直于第一方向的第二方向上彼此间隔开；电极连接部分，设置在连接区域上，以沿第二方向延伸并且使电极部分彼此水平地连接；突出，在连接区域上设置为从电极连接部分沿第一方向延伸，并且在第二方向上彼此间隔开。

主权项

一种垂直非易失性存储器装置，所述垂直非易失性存储器装置包括：半导体基底，在半导体基底上具有存储器单元区域和连接区域，连接区域相邻于的存储器单元区域延伸；多个间隔开的第一栅电极，从存储器单元区域沿第一方向并行地且纵向地延伸到连接区域；多个间隔开的第二栅电极，从存储器单元区域沿第一方向并行地且纵向地延伸到连接区域，并且所述多个间隔开的第一栅电极在所述多个间隔开的第二栅电极与半导体基底之间延伸；第一栅电极连接线，在与所述多个间隔开的第一栅电极共面的水平处沿第二方向纵向延伸穿过连接区域，并且使所述多个间隔开的第一栅电极电短路到一起；第二栅电极连接线，在与所述多个间隔开的第二栅电极共面的水平处沿第二方向纵向延伸穿过连接区域，并且使所述多个间隔开的第二栅电极电短路到一起。