[发明专利]晶片的加工方法有效
申请号: | 201710033605.4 | 申请日: | 2017-01-18 |
公开(公告)号: | CN106997866B | 公开(公告)日: | 2021-02-19 |
发明(设计)人: | 吉田真司;伊藤优作;矢野紘英 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | H01L21/78 | 分类号: | H01L21/78;H01L21/683 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 李辉;于靖帅 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 提供晶片的加工方法,根据粘片膜的粘接不良部位的位置而仅对粘片膜的粘接为良好的芯片进行拾取。一种晶片的加工方法,包含:将在基材带(11)上隔着糊层(12)层叠粘片膜(13)而成的划片带(10)粘贴在晶片(W)的背面上的工序;根据来自划片带侧的晶片的拍摄图像对粘片膜的粘接不良部位的位置进行存储的工序;将晶片分割成带有粘片膜的芯片的工序;通过紫外线来使划片带的糊层硬化的工序;以及根据粘接不良部位的位置而使粘片膜粘接良好的芯片在糊层与粘片膜的边界处分离而对带有粘片膜的芯片进行拾取的工序。 | ||
搜索关键词: | 晶片 加工 方法 | ||
【主权项】:
一种晶片的加工方法,该晶片在由交叉的多条分割预定线划分出的各区域内分别形成有器件,其中,该晶片的加工方法具有如下的工序:带粘贴工序,将划片带粘贴在晶片的背面上,该划片带具有粘片膜和因紫外线的照射而硬化的糊层;存储工序,在实施了该带粘贴工序之后,根据从划片带侧对晶片进行拍摄而得的拍摄图像,对粘片膜与晶片之间处于未粘接状态的粘接不良部位的位置进行存储;分割工序,在实施了该存储工序之后,将晶片沿着该分割预定线分割成各个芯片并且对粘片膜进行分割;紫外线照射工序,在实施了该分割工序之后,对划片带照射紫外线而使该糊层硬化,使粘合力降低;以及拾取工序,在该紫外线照射工序之后,根据在该存储工序中存储的位置,使粘片膜粘接良好的芯片在该糊层与粘片膜的边界处分离而对该粘片膜粘接良好的芯片与粘片膜一起进行拾取。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社迪思科,未经株式会社迪思科许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201710033605.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造