[发明专利]一种Ni包裹介孔SiO2导电粉体的制备方法有效

专利信息
申请号: 201710033987.0 申请日: 2017-01-18
公开(公告)号: CN106710722B 公开(公告)日: 2018-05-04
发明(设计)人: 张腾;李巍婷;张心愿;魏颖;温翠莲;唐电 申请(专利权)人: 福州大学
主分类号: H01B13/00 分类号: H01B13/00;H01B1/16
代理公司: 福州元创专利商标代理有限公司35100 代理人: 蔡学俊,林文弘
地址: 350108 福建省福州市*** 国省代码: 福建;35
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摘要: 发明公开了一种Ni包裹介孔SiO2导电粉体的制备方法。以介孔SiO2粉体为载体,镍盐为前驱体,加入油酸或油酸盐形成均匀的油酸盐包裹体,然后在保护气氛中于400℃~500℃热分解得到Ni/SiO2导电粉体。本发明得到的Ni呈树枝状,在介孔SiO2载体上分散均匀,具有良好的导电性能。本发明制备过程无需还原剂,绿色环保,原料方便易得,操作简便,达到产业化的要求。
搜索关键词: 一种 ni 包裹 sio2 导电 制备 方法
【主权项】:
一种Ni包裹介孔SiO2导电粉体的制备方法,其特征在于:具体包括以下步骤:(1)将介孔SiO2粉体在溶剂中超声0.5~1h,得到均匀的SiO2溶液;(2)将溶解后的镍盐加入步骤(1)得到的SiO2溶液并超声混合均匀,然后搅拌1h~4h,得到溶液A;(3)将油酸或油酸盐超声溶解于溶剂中,得到溶液B;(4)将溶液B加入到溶液A当中,然后搅拌1h~4h后,加入与镍盐摩尔比为1:1~50:1的去离子水,得到溶液C;(5)将溶液C搅拌1h~2h后,抽滤并用去离子水洗涤数遍后,放入干燥箱内干燥1~12h,得到固体D;(6)将固体D放入刚玉陶瓷舟内,转移到管式炉,在400℃~500℃下,在保护气体中保温0.5h~2h,冷却后得到Ni/SiO2导电粉体。
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