[发明专利]一种碲化镉薄膜太阳电池及其制备方法在审
| 申请号： | 201710034587.1 | 申请日： | 2017-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN106711242A | 公开（公告）日： | 2017-05-24 |
| 发明（设计）人： | 王德亮;肖迪;王东明;沈凯;李强;李珣 | 申请（专利权）人： | 中国科学技术大学 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224;H01L31/073;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 赵青朵 |
| 地址： | 230026 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种碲化镉薄膜太阳电池及其制备方法，碲化镉电池从下到上依次包括衬底；复合在所述衬底上的透明导电薄膜；复合在所述透明导电薄膜上的n型硫化镉层；复合在所述n型硫化镉层上的p型碲化镉层；复合在所述p型碲化镉层上的氧化镍薄膜；复合在所述氧化镍薄膜上的金属背电极。本发明在碲化镉薄膜和金属背电极之间加入一层氧化镍薄膜，其能作为背场缓冲层，降低载流子在背电极接触表面处的复合，提高电池的开路电压和转换效率。此外，本发明碲化镉电池的稳定性方面有所提高，并且其制备方法简便，成本低，适合大规模工业化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碲化镉 薄膜 太阳电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种碲化镉薄膜太阳电池，其特征在于，从下到上依次包括：衬底；复合在所述衬底上的透明导电薄膜；复合在所述透明导电薄膜上的n型硫化镉层；复合在所述n型硫化镉层上的p型碲化镉层；复合在所述p型碲化镉层上的氧化镍薄膜；复合在所述氧化镍薄膜上的金属背电极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学技术大学，未经中国科学技术大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710034587.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
