[发明专利]一种高对比度有机发光二极管及其设计方法有效
申请号: | 201710034760.8 | 申请日: | 2017-01-18 |
公开(公告)号: | CN106784388B | 公开(公告)日: | 2018-08-10 |
发明(设计)人: | 吕正红;满佳秀;何守杰;张涛;王登科;江楠 | 申请(专利权)人: | 云南大学 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 | 代理人: | 汤东凤 |
地址: | 650000 云*** | 国省代码: | 云南;53 |
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摘要: | 本发明公开一种高对比度有机发光二极管及其设计方法,该发光二极管器件结构自下而上依次为衬底、阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和黑层阴极,其中黑层电极自下而上依次由一层薄的金属半透明中间电极、相位调控层和厚的金属反射背电极构成,入射光通过在相位调控层中的衰减和在中间电极和背电极之间的相位转变来达到消光效果,通过光学计算,优化相位调控的厚度和光学常数,可以达到反射率仅为衬底材料的反射效果。本发明根据计算结果寻找合适的相位调控层材料,设计出高对比度的有机发光二极管。 | ||
搜索关键词: | 一种 对比度 有机 发光二极管 及其 设计 方法 | ||
【主权项】:
1.一种高对比度有机发光二极管,包括玻璃衬底、ITO阳极、1nm MoO3空穴注入层、60nm NPB空穴传输层、30nm重量比为1%C545T掺杂的Alq3发光层、40nm Alq3电子传输层、1nm LiF电子注入层和黑层阴极,所述黑层阴 极由一层5nm铝中间电极、相位调控层和100nm铝反射背电极构成,其特征在于:所述相位调控层为SubPc、PbPc和C60的三元混合物,SubPc、PbPc和C60的重量比为1:1:1;所述相位调控层为的厚度为70nm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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