[发明专利]一种碳化硅MOSFET导通电阻特性的建模方法有效
| 申请号： | 201710035453.1 | 申请日： | 2017-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN106896307B | 公开（公告）日： | 2019-05-21 |
| 发明（设计）人： | 江芙蓉;郭清;杨树;盛况 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 林超 |
| 地址： | 310058 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种碳化硅MOSFET导通电阻特性的建模方法。搭建可控环境温度测试平台，在不同测试温度下测试碳化硅MOSFET，获得不同测试温度下的电流‑电压特性，再输入到直流等效电路模型，采用最小二乘法处理获得各个测试温度下的剩余电阻，用幂次函数曲线拟合获得剩余电阻‑温度特性曲线；用导通电阻减去剩余电阻得沟道电阻，用幂次函数曲线拟合沟道电阻‑温度的特性曲线；将沟道电阻与剩余电阻之和作为导通电阻，由此获得导通电阻特性。本发明方法能够分析碳化硅MOSFET导通电阻的组成部分沟道电阻和剩余电阻在不同温度下占总导通电阻的比例，能够用于评估碳化硅MOSFET器件沟道界面的品质，提供参考。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 mosfet 通电 特性 建模 方法 | ||
【主权项】：
1.一种碳化硅MOSFET导通电阻特性的建模方法，其特征在于，包括以下步骤：S1，搭建可控环境温度的测试平台；S2，在可控环境温度的测试平台上，在不同测试温度下测试碳化硅MOSFET，获得碳化硅MOSFET不同测试温度下的电流‑电压特性；S3，将电流‑电压特性输入到碳化硅MOSFET的直流等效电路模型，采用最小二乘法处理获得碳化硅MOSFET在各个测试温度下的剩余电阻Rs，进而用幂次函数曲线拟合获得剩余电阻Rs‑温度T的特性曲线；S4，每个测试温度下，用碳化硅MOSFET的导通电阻减去剩余电阻得到碳化硅MOSFET的沟道电阻Rch，进而得到碳化硅MOSFET的沟道电阻Rch随温度的变化关系，用指数函数曲线拟合沟道电阻Rch‑温度T的特性曲线；S5，将碳化硅MOSFET的沟道电阻Rch与剩余电阻Rs之和作为碳化硅MOSFET的导通电阻，由此获得导通电阻特性。
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